APM32E103：修订间差异
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（创建页面，内容为“== 说明 == APM32E103为对APM32F103的增强,实现高主频、大容量、多接口等特性。 目前主要有xC与xE两个系列，其中xC系列的Flash为256KB，SRAM为64KB,xE系列的Flash为512KB，SRAM为128KB。 APM32E103相对于Air32F103的最高SRAM容量(96KB)大32KB，非常适合在MCU应用中相对复杂的应用(同时使用较多外设并且同时使用多个通信接口)。 == 官方资料 == 网址: * https://www.geehy.com ===…”） |
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APM32E103为对APM32F103(同其它的F103芯片类似，是为替代STM32F103而生)的增强,实现高主频、大容量、多接口等特性。 | |||
目前主要有xC与xE两个系列，其中xC系列的Flash为256KB，SRAM为64KB,xE系列的Flash为512KB，SRAM为128KB。 | 目前主要有xC与xE两个系列，其中xC系列的Flash为256KB，SRAM为64KB,xE系列的Flash为512KB，SRAM为128KB。 | ||
2024年6月26日 (三) 03:26的最新版本
说明
APM32E103为对APM32F103(同其它的F103芯片类似，是为替代STM32F103而生)的增强,实现高主频、大容量、多接口等特性。
目前主要有xC与xE两个系列，其中xC系列的Flash为256KB，SRAM为64KB,xE系列的Flash为512KB，SRAM为128KB。
APM32E103相对于Air32F103的最高SRAM容量(96KB)大32KB，非常适合在MCU应用中相对复杂的应用(同时使用较多外设并且同时使用多个通信接口)。
官方资料
网址: